Julius Edgar Lilienfeld - Julius Edgar Lilienfeld

JE Lilienfeld
Julius Edgar Lilienfeld (1881-1963) .jpg
Doğmuş ( 1882-04-18 ) 18 Nisan 1882
Öldü 28 Ağustos 1963 (1963-08-28) (81 yaşında)
Vatandaşlık Avusturya-Macaristan (1882 - Eylül 1919)
Lehçe (1919–1934)
Amerikan (1934–1963)
gidilen okul Friedrich-Wilhelms-Universität
Bilinen Alan etkili transistör
Elektrolitik kondansatör
Bilimsel kariyer
Alanlar Fizikçi
Elektrik mühendisi
Kurumlar Leipzig Üniversitesi
Amrad, Inc
Ergon Araştırma Laboratuvarları
Doktora danışmanı Max Planck
Emil Warburg
Diğer akademik danışmanlar Jacobus Henricus van 't Hoff
İmza
Julius Lilienfeld signature.png

Julius Edgar Lilienfeld (18 Nisan 1882-28 Ağustos 1963), alan etkili transistörün (FET) ilk patentini alan bir Avusturya-Macaristan ve daha sonra Amerikalı (1921'de taşındığı yer) fizikçi ve elektrik mühendisiydi. ) (1925). Öğrenilmiş dergilerde makale yayınlayamaması ve yüksek saflıkta yarı iletken materyallerin henüz mevcut olmaması nedeniyle, FET patenti hiçbir zaman ün kazanmadı ve sonraki mucitler için kafa karışıklığına neden oldu.

Erken dönem

Lilienfeld, Avusturya-Macaristan'daki Lemberg'de (bugünkü Lviv ) Almanca konuşan Aşkenaz Yahudi bir ailenin çocuğu olarak dünyaya geldi .

Eğitim

Lilienfeld, 1900 ve 1904 yılları arasında Berlin'deki Friedrich-Wilhelms-Universität'ta (1949'da Humboldt Üniversitesi olarak değiştirildi) okudu ve burada doktora derecesini aldı. 18 Şubat 1905'te. 1905'te Leipzig Üniversitesi'nde fizik enstitüsünde kayıtsız bir profesör olarak çalışmaya başladı .

Kariyer

Lilienfeld'in Leipzig Üniversitesi'ndeki ilk kariyeri, 1910'dan itibaren metal elektrotlar arasındaki "vakumda" elektrik deşarjları üzerine önemli erken çalışmalar yürüttüğünü gördü. İlk tutkusu, vakum hazırlama teknikleri geliştikçe bu fenomenin nasıl değiştiğini açıklığa kavuşturmaktı. Alan elektron emisyonunun ayrı bir fiziksel etki olarak tanımlanmasından diğer tüm bilim adamlarından daha fazla sorumluydu . (Buna "otomatik elektronik emisyon" adını verdi ve tıbbi uygulamalarda minyatürleştirilmiş X-ışını tüpleri için olası bir elektron kaynağı olarak ilgilendi.) Lilienfeld, alan elektronunun deneysel fenomenolojisinin İngilizce'deki ilk güvenilir açıklamasından sorumluydu. emisyon, 1922. Etki Fowler ve Nordheim tarafından 1928'de açıklandı .

Lilienfeld, patent iddialarını sürdürmek için 1921'de Amerika Birleşik Devletleri'ne taşındı ve 1926'da Leipzig'deki profesörlüğünden istifa etti. 1928'de Massachusetts , Malden'deki Amrad'da çalışmaya başladı ve daha sonra Magnavox'un sahibi olduğu Ergon Araştırma Laboratuvarları olarak anıldı. 1935.

Lilienfeld , 1931'de elektrolitik kapasitörün patentini alarak, Amerika Birleşik Devletleri'nde anodik alüminyum oksit filmler üzerinde araştırma yaptı ve bu yöntem yüzyıl boyunca kullanılmaya devam etti. Ayrıca , transistörlerin yapımını ve çalışmasını ve modern transistörlerin birçok özelliğini açıklayan birkaç patent başvurusunda bulunarak " FET benzeri" bir transistör icat etti . (28 Ocak 1930'da FET benzeri bir transistör için ABD patenti No. 1,745,175 verildi.) Brattain , Bardeen ve meslektaşları kimyager Robert Gibney , en eski cihazları için patent almaya çalıştıklarında, Lilienfeld patentleri nedeniyle iddialarının çoğu reddedildi. .

Elektronlar metal bir yüzeye çarptığında yayılan optik radyasyona, onu X-ışını tüpü anotlarına yakın bir yerde ilk kez keşfettikten sonra " Lilienfeld radyasyonu " adı verilir . Kökeni, metal yüzeydeki plazmonların uyarılmasına atfedilir .

American Physical Society, en büyük ödüllerinden birine Lilienfeld'in adını verdi.

Kişisel hayat

Lilienfeld, Avusturya-Macaristan vatandaşı olan ve daha sonra Amerika Birleşik Devletleri ve Polonya'da çifte vatandaşlığa sahip olan bir Yahudiydi. Amerikalı Beatrice Ginsburg ile 2 Mayıs 1926'da New York'ta evlendi. Lilienfeld'in Malden'deki Ergon Araştırma Laboratuarları'nın direktörü olduğu Winchester, Massachusetts'te yaşadılar ve 1934'te Amerika Birleşik Devletleri vatandaşı oldular. 1935'te kapandıktan sonra o ve karısı , Lilienfeld'in hayatının büyük bir bölümünde acı çektiği buğday tarlalarıyla ilişkili bir alerjiden kurtulma umuduyla ABD Virjin Adaları'ndaki St. Thomas'ta bir ev inşa ettiler . Lilienfeld, St.Thomas ve çeşitli ana kara yerleri arasında sık sık seyahat etti ve yeni fikirleri test etmeye ve ortaya çıkan ürünlerin patentini almaya devam etti.

Lilienfeld'in patentleri

  • US 1122011   "Röntgen ışınları üretmek için işlem ve aygıt", 1912-10-02 tarihinde dosyalanmış, sıcak bir filamentten yayılan elektronlardan x-ışınları üreten bir X-ışını tüpünü açıklamaktadır.
  • US 1218423   "Röntgen ışını tüpü" 1914-04-17 tarihinde dosyalanmış, önceki X-ışını tüpünün sıcak bir filamentten yayılan elektronlardan x-ışınları üreten bir iyileştirmesini açıklamaktadır.
  • US 1745175   "Elektrik akımını kontrol etmek için yöntem ve aygıt" ilk olarak 1925-10-22'de Kanada'da dosyalanmış, alan etkili bir transistörü açıklamaktadır.
  • US 1900018   "Elektrik akımını kontrol etmek için cihaz", 1928-03-28 tarihinde dosyalanmış, ince film alan etkili bir transistör
  • US 1877140   "Elektrik akımları için amplifikatör" 1928-12-08 tarihinde dosyalanmış, akım akışının gözenekli bir metal katman tarafından kontrol edildiği katı hal cihazı, vakum tüpünün katı hal versiyonu
  • 1931-08-29 tarihinde   dosyalanmış ABD 2013564 "Elektrolitik kondansatör", bir elektrolitik kapasitör açıklamaktadır

Ayrıca bakınız

Referanslar

  • Christian Kleint, Julius Edgar Lilienfeld: Yaşam ve meslek . In: Progress in Surface Science, Cilt 57, Sayı 4, Nisan 1998, Sayfa 253–327.
  • Chih-Tang Sag, MOS Transistörün Evrimi - Tasarımdan VLSI'ye . In: Proceedings of the IEEE, Cilt. 76, No. 10, Ekim 1988, Sayfa 1280-1326.

Dış bağlantılar