2N7000 - 2N7000
Tür | MOSFET Transistör |
---|---|
Çalışma prensibi | N-kanal |
PIN konfigürasyonu | G = Geçit, D = Drenaj, S = Kaynak. Sembol her zaman alt tabaka ile kaynak / tahliye / kanal arasında oluşan iç diyotu göstermez . |
Elektronik sembol | |
2N7000 ve BS170 iki farklı N-kanal , geliştirme modu MOSFET farklı talebi düzenlemeleri ve akım değerleri ile düşük güç anahtarlama uygulamalar için kullanılır. Bazen aynı veri sayfasında diğer 2N7002, VQ1000J ve VQ1000P değişkenleriyle birlikte listelenirler.
2N7000, genellikle hobi amaçlı kullanım için etrafta bulundurulması yararlı ve ortak bileşenler olarak önerilen, yaygın olarak bulunabilen ve popüler bir parçadır. BS250P, "2N7000'in iyi bir p-kanal analoğudur."
TO-92 muhafaza içinde paketlenmiş olan 2N7000 ve BS170, 60 V cihazlardır. 2N7000, 200 mA'yı değiştirebilir . BS170 , 10 V Vgs'de maksimum 5 Ω açık dirençle 500 mA anahtarlayabilir.
2N7002 farklı direnç, akım derecesi ve paketi ile başka farklı bir parçasıdır. 2N7002, en yaygın olarak kullanılan üç uçlu yüzeye montaj paketi olan "küçük dış hatlı transistör" SOT-23 yüzey montajı olarak da bilinen TO-236 paketindedir.
Başvurular
2N7000, "FETlington" ve "kesinlikle ideal bir hacker parçası" olarak anılıyor. "FETlington" kelimesi, Darlington-transistör benzeri doygunluk karakteristiğine bir referanstır .
Bu transistörlerin tipik bir kullanımı, küçük lambalar, motorlar ve röleler için sürücüler dahil olmak üzere, orta gerilim ve akımlar için bir anahtar olarak kullanılır. Anahtarlama devrelerinde, bu FET'ler bipolar bağlantı transistörlerine çok benzer şekilde kullanılabilir , ancak bazı avantajları vardır:
- yalıtımlı kapının yüksek giriş empedansı neredeyse hiç kapı akımına gerek olmadığı anlamına gelir
- sonuç olarak geçit girişinde akım sınırlayıcı direnç gerekli değildir
- MOSFET'ler, PN bağlantı cihazlarından farklı olarak (LED'ler gibi) paralel bağlanabilir çünkü direnç sıcaklıkla artar, ancak bu yük dengesinin kalitesi büyük ölçüde devredeki her bir MOSFET'in iç kimyasına bağlıdır.
Anahtarlamada bu FET'lerin bipolar transistörlere göre ana dezavantajları şunlardır:
- kurulumdan önce statik deşarjdan kaynaklanan kümülatif hasara duyarlılık
- dış kapıya maruz kalan devreler, bir koruma kapısı direnci veya başka bir statik boşalma koruması gerektirir
- Bipolar bağlantı transistöründeki sabit bağlantı voltajı düşüşüne kıyasla doygunluğa yönlendirildiğinde sıfır olmayan omik yanıt
Referanslar
Dış bağlantılar
- Deneyciler için Uygulama Notları
- Elektrik Alan Sensörü , basit bir LED devresiyle son derece yüksek geçit empedansı gösterir
- Tek bir MOSFET'in kullanılması Benzer bir MOSFET'in kullanımının ayrıntılı açıklaması
- Veri sayfaları
- 2N7002, 300mA, SOT-23 kasa , NXP Yarı İletkenler
- NX7002AK, 300mA, SOT-23 kasa , NXP Yarı İletkenler
- 2N7000, 200mA, TO-92 vaka Arşivlenen 27 Eylül 2007 de Wayback Machine , Semiconductor günü
- BS170, 500mA, TO-92 vaka Arşivlenen 24 Ekim 2020 de Wayback Machine , Semiconductor günü